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二次充电/图像曝光 二次充电/图像曝光是一个过程的两个方面。这一过程是利用交流电晕器或反极性直流电晕器对感光鼓表面充电电荷进行消电的同时对感光鼓进行图像曝光的。二次充电的作用是中和绝缘层表面的正电荷；图像曝光则是为了在消电过程中使绝缘层表面形成与原稿明暗相对应的静电电荷分布。 当原稿图像被照射并通过光学系统投射到感光鼓表面时（即曝光），在感光鼓表面形成两个区域：带图像的“暗区”和不带图像的“明区”。在明区，由于光照使光导层（硫化镉）的电阻率大大降低，成为导体。原先驻留在光导层与绝缘层界面的负电荷（电子），随着绝缘层表面的正电荷被二次负电晕中和的同时，通过光导层向接地的导电基体泄逸。因此，明区的表面电位迅速下降至0伏左右。在暗区，则由于光导层（硫化镉）未受光照，基电阻率仍然很高（即保持绝缘状态）使得驻留在光导层与绝缘层界面的负电荷不能向导电基体方向泄逸。绝缘层表面正电荷受基影响，即由于绝缘层下面负性电荷的吸引，使得消电电晕只能中和掉一部分表面正电荷，大部分正电荷仍然保留在感光鼓暗区表面。此时，由于表面正电荷数量的减少，在绝缘层下面的负电荷多于绝缘层表面的下奄荷，因此在导电基体与光导层界面处又感应出正电荷（导电基体侧），基数量与表面正电荷减少的数量相等，以达到正负电荷量的平衡。虽然在感光鼓暗区仍保留有大部分表面电荷，但由于暗区仍保留大部分表面电荷，但由于暗区表面电位低于光导层的电位，因此仍未形成适用的静电潜像。也就是说，二次充电/图像曝光的结果，使得无论是在感光鼓的明区还是暗区，表面电位都已降为零电位，没有形成电位反差。